Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We reveal the mechanism of assembly stress in pad areas of flip chip package by using our new local stress evaluation technique in μm resolution. The technique is designed to evaluate the characteristic change of high-k/metal gate transistors (Trs) that are arrayed in μm pitch. In this structure, the downward stress increases the ids of these Trs. The causes of assembly stress in pad areas are: 1)...
We reveal the mechanism of assembly stress in pad areas of flip chip package by using our new local stress evaluation technique in μm resolution. The technique is designed to evaluate the characteristic change of high-k/metal gate transistors (Trs) that are arrayed in μm pitch.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.