Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The monolithic integration of III-V nanowires on silicon by direct epitaxial growth enables new possibilities for the design and fabrication of electronic as well as optoelectronic devices. We demonstrate a new growth technique to directly integrate III-V semiconducting nanowires on silicon using selective area epitaxy within a nanotube template. Thus we achieve small diameter nanowires, controlled...
Today, the continued miniaturization of field effect transistors (FETs) results in major scaling issues that curtail further voltage reduction. The resultant increase in power consumption density limits the overall performance. Therefore, alternative materials and devices are required that support steep sub-threshold slopes and low-voltage operation. The tunnel FET (TFET) is regarded as the most promising...
In the present work we demonstrate the fabrication of tunneling field-effect transistors (TFETs) based on VLS grown silicon nanowires (Si NWs). We have integrated two different gate stacks, a conventional one using SiO2 and a HfO2 high-k gate stack. The use of a high-k gate dielectric markedly improves the TFET performance in terms of average slope and on-current, Ion. Furthermore, we investigate...
In the present work we demonstrate the successful implementation of tunneling field-effect transistors (TFETs) based on silicon nanowires (Si NWs) that were grown using the vapor-liquid-solid (VLS) growth method. Device optimization resulted in increased band-to-band tunneling with an on-current of 0.5 ??A/??m, and Ion/Ioff ratio of about 6 decades combined with an inverse subthreshold slope (SS)...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.