Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Low voltage operation of SRAM arrays is critical in reducing the power consumption of embedded microprocessors. The minimum voltage of operation, Vmin, can be limited by any combination of write failure, read disturb failure, access failure and/or retention failure. Of these, the write failure is often observed as the major Vmin limiter in sub-50nm processes. In addition, the current generation transistors...
Low voltage SRAMs are critical for power constrained designs. Currently, the choice of supply voltage in SRAMs is governed by bit cell read static noise margin, writability, data retention etc. However, in the nanometer technology nodes, the choice of supply voltage impacts the reliability of SRAMs as well. Two important reliability challenges for current and future generation SRAMs are gate oxide...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.