Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
A feasibility study of 70 nm pitch 2-level dual damascene interconnects featuring EUV lithography is presented. Using Ru barrier metal and scalable porous silica (Po-SiO, k=2.1), a low resistivity below 4.5 ????cm and a 13% reduction in wiring capacitance compared with porous SiOC (k=2.65) was obtained. The predicted circuit-performance using Po-SiO was 10% higher than that with porous SiOC. The electromigration...
The resistance of wiring with a width of less than 40 nm was firstly evaluated by using an EUV lithography (lambda=13.5 nm). The resistance was quite high in narrow wiring with conventional Ta barrier film, while a very low effective resistivity rhoeff of lower than 4.5 muOmega cm was obtained by using PVD-Ru barrier film. This difference was attributed to combination of thinner barrier metal films...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.