Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
A novel MOSFET pressure sensor was proposed based on the MOSFET stress sensitive phenomenon, in which the source-drain current changes with the stress in channel region. Two MOSFETpsilas and two piezoresistors were employed to form a Wheatstone bridge served as sensitive unit in the novel sensor. Compared with the traditional piezoresistive pressure sensor, this MOSFET sensorpsilas sensitivity is...
A novel MOSFET pressure sensor is firstly proposed based on the MOSFET stress sensitive phenomenon, in which the source-drain current changes with the stress in channel region. It uses two MOSFET's and two piezoresistors to form a Wheatstone bridge. Compared with the traditional piezoresistive pressure sensor, this MOSFET sensor's sensitivity is improved significantly, meanwhile the power can be decreased...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.