Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
A 30GHz Ka-band low noise amplifier (LNA) has been realized in a 0.25µm SiGe:C BiCMOS technology. A noise figure (NF) of 1.8–2.2 dB has been measured at 26–32 GHz. The achieved 3dB-power bandwidth is larger than 7GHz, with a peak gain of 12.4dB at 29.2GHz. The input 1 dB compression point (ICP1dB) is −11dBm and input IP3 is −1.3dBm at 30GHz for a total power consumption of 98mW. The chip area including...
A high-precision compensated CMOS bandgap reference without resistors, which is fabricated in 0.5- μm CMOS technology, is presented in this brief. The circuit uses ratioed transistors together with the inverse-function technique to produce a first-order temperature-insensitive voltage reference. More importantly, a higher-order curvature correction method called VBE linearization is presented to directly...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.