Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We report on the achievement of self-organized InAs/InP quantum dot tube nanoscale ring resonators, with a wall thickness of ~70nm and diameter of ~4-5μm, that can exhibit strong coherent emission at ~1.55μm.
We report on the epitaxial growth, fabrication, and characterization of full-color InGaN/GaN dot-in-a-wire nanoscale LEDs on Si(111), which can exhibit an internal quantum efficiency of ~ 45% and negligible saturation up to ~ 300 A/cm2.
We have achieved superior quality non-tapered InN nanowires on Si(111) by molecular beam epitaxy, which are free of dislocations and exhibit bright photoluminescence at room-temperature and significantly reduced spectral broadening (linewidth~18.5 meV at 77 K).
In this paper the characteristics of an electrically injected PC microcavity device with quantum dot (QD) active region and air-bridge electrical contacts to the PC microcavity is presented. Air bridges are 300nm tall, 300-500nm wide, 3-13mum long and have surface contact width ~200-300nm. Arrays of microcavity light emitters are fabricated by interconnecting multiple PC microcavities by nano-bridges...
We have studied the molecular beam epitaxial growth and characteristics of p-doped InAs tunnel injection quantum-dash lasers on InP (001) substrates. Significantly improved photoluminescence intensity and narrow linewidth (~50 meV) are measured from stacked InAs quantum-dash layers with optimized growth conditions. The lasers exhibit very large T0 (204 K) and large modulation bandwidth (f-3 dB=12...
We have investigated the molecular beam epitaxial growth and characteristics of p-doped InAs tunnel injection quantum dash lasers on InP (001) substrates. Significantly improved photoluminescence intensity and narrow linewidth (~ 50 meV) are measured from multiple InAs quantum dash layers grown under optimized conditions. The lasers are characterized by very large T0 (204 K), large modulation bandwidth...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.