Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The irradiation induced hardening and vacancy like defects are investigated as a function of irradiation fluences with 200keV He ion implantation at 800°C in this work. Nano-indentation tests show the irradiation induces hardening and the hardness values increase with increasing irradiation fluences. Doppler broadening spectroscopy analyses of slow positron annihilation find that a large amount of...
Lattice damage and evolution in 6H-SiC under He + ion irradiation have been investigated by the combination of Rutherford backscattering in channeling geometry (RBS/C), Raman spectroscopy, UV–visible spectroscopy and transmission electron microscopy (TEM). 6H-SiC wafers were irradiated with He ions at a fluence of 3 × 10 16 He + cm −2 at 600 K. Post-irradiation, the...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.