Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Based on a kinetic model involving oxidant diffusion and an oxidation‐reduction reaction, a 3‐parameter equation is derived relating the change in the concentration of thermally induced carrier donors in common metal‐oxide semiconductors (such as indium–gallium–zinc oxide and indium–tin–zinc oxide) to heat‐treatment time. The change in the concentration of such donors is characterized by measuring...
Metal‐Oxide Semiconductors
In article number 2203346, Zhihe Xia, Man Wong, and co‐workers propose a 3‐parameter equation based on a kinetic model involving oxidant diffusion and an oxidation‐reduction reaction of intrinsic donor defects. It is shown to be applicable to common metal‐oxide semiconductors and is deployed to the characterization of donor defects.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.