Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The multiple quantum wells (MQWs) InGaAsSb/AlGaAsSb laser diodes (LDs) with an emission wavelength around 2.0μm were designed and fabricated by molecular beam epitaxy (MBE). The good performance of LD was achieved, with the low threshold current of 225 mA, and the slope efficiency of 0.23 W/A, respectively. The maximum outpower of 16 mW at 500 mA drive current was obtained at room temperature(RT).
In this work, the Type I InGaAsSb/AlGaAsSb multiple-quantum-wells (MQWs) has been grown by molecular beam epitaxy (MBE). The comprised five InGaAsSb quantum wells are embedded in AlGaAsSb barriers, the barriers/QWs periodicity matches to GaSb substrates, and satellite peaks indicate a good crystalline quality. The central peak emission wavelength is around 2.0 μm at room temperature by photoluminescence...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.