Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Catastrophic gate oxide breakdown of MOSFETs with high-k gate was characterized under ESD-like pulsed stress. It was found that the excessive gate current after gate oxide failure may result in a loss of gate contact and form a resistive path between the drain and source. Using constant voltage stress (CVS) method, the gate oxide breakdown voltages (VBD) of NMSOFETs and PMOSFETs were extracted. NMOSFETs...
Gate dielectric breakdown measurements were performed on high-k/metal gate and SiON/polysilicon gate NMOSFETs down to the ESD time domain. Measurements indicate that, for a given NMOSFET on-state performance level, high-k transistors have increased robustness to ESD compared to SiON transistors.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.