Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In this paper, the power gain improvements by stress contact etch stop layer (CESL) in a 65-nm nMOSFET were studied. Compared to the conventional nMOSFET, the device with CESL stress shows an extra 6% power gain enhancement for the increased stress in the channel region. This study also presents the polyharmonic distortion (PHD) model extraction by X-parameters measurement when the power transistor...
An RF power MOSFET was proposed and manufactured in a standard 0.13 μm CMOS technology. Without adding additional masks, cost and process, the breakdown voltage can be improved by using the N-well and shallow-trench-isolation processes to form a drift n- region. The breakdown voltage was 4.3 V at gate bias of 1.2 V. The cutoff frequency and maximum oscillation frequency were 68 GHz and 87 GHz, respectively...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.