Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We report novel FETs with a structure in which not only the top surface but also the side surfaces of island-shaped c-axis aligned crystalline indium-gallium-zinc oxide (CAAC-IGZO) serving as a channel are surrounded by a gate electrode, that is, surrounded channel CAAC-IGZO FETs. The FETs maintained their favorable subthreshold characteristics even if the channel length was scaled down to approximately...
We propose Non-Volatile Oxide Semiconductor Random Access Memory (NOSRAM) that is a novel memory including a transistor using an oxide semiconductor, In-Ga-Zn Oxide. OS transistors feature extremely low leakage current of about 100-600 yA/μm (1 yA = 10-24 A) at 85°C for example, and are applicable to memory elements. Our prototype of a 1Mb NOSRAM has achieved 1012 write cycles, no need of erasing...
The authors have designed optimum 1/4- mu m-gate-length NMOSFETs with improved hot-electron immunity. The lithographies used were direct electron-beam and SR (synchrotron radiation) lithography. SR was used for the metallization. The threshold voltage of the NMOSFETs was determined over the whole range of operating temperatures. The fabricated E/E (enhancement mode/enhancement mode) ring oscillators...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.