Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
For the first time, interface properties between high-k and Si or SiGe nanowires (NWs) have been experimentally investigated by adapting charge pumping technique and low-frequency noise measurement. It is found that the interface state density (Dit) of circular Si NWs is ~3 times higher than that of rectangular ones with a deleterious impact on the low field mobility. The oxide trap density in SiGe...
For the first time, ultra low IOFF (16.5 pA/mum) and high IONN,P (2.27 mA/mum and 1.32 mA/mum) currents are obtained with a multi-channel CMOSFET (MCFET) architecture on SOI with a metal/high-K gate stack. This leads to the best ION/IOFF ratios ever reported: 1.4 times 108 (0.8 times 108) for 50 nm n- (p-) MCFETs. We show, based on specifically developed integration process, characterization methods...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.