Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Ge-on-Si has been demonstrated as a platform for Si foundry compatible plasmonics. We use laser thermal annealing to demonstrate activated doping levels >1020 cm−3 which allows most of the 3 to 20 μm mid-infrared sensing window to be covered with enhancements comparable to gold plasmonics.
A new technological solution to improve the beam-loss protection of silicon strip sensors used in large High Energy Physics experiments is presented. In the current ATLAS-SCT, sensors have Punch-Through protection (PTP) structures included to develop low impedance from the strip to the bias ring in case large voltages exceed some threshold that could damage the strip coupling capacitance. Previous...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.