Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
This paper presents a fully integrated class-E power amplifier IC with body effect to achieve high efficiency and high gain at low supply voltage for 2.5-GHz band short range wireless communication systems. The class-E amplifier IC is designed, fabricated and fully evaluated in 180-nm CMOS. The proposed power amplifier IC exhibits a small-signal gain of 10.8 dB and a saturated output power of 10.8...
This paper presents a highly linear 5-GHz band power amplifier IC with integrated novel CMOS active bias circuit in SiGe BiCMOS technology for wireless LAN applications. The power amplifier IC consists of three-stage amplifier, the CMOS active bias circuit for linearizing SiGe HBT and all matching circuits. The power amplifier IC has exhibited a measured output power of 17.0 dBm, an EVM of 0.9 % and...
This paper presents a highly linear 5-GHz band power amplifier IC with integrated novel CMOS active bias circuit in SiGe BiCMOS technology for wireless LAN applications. The power amplifier IC consists of three-stage amplifier, the CMOS active bias circuit for linearizing SiGe HBT and all matching circuits. The power amplifier IC has exhibited a measured output power of 17.0 dBm, an EVM of 0.9 % and...
A fully integrated class-E power amplifier IC in 180-nm CMOS is presented for 2.5-GHz band short range wireless communication systems. To realize high efficiency with low operation voltage, a class-E amplifier with back gate effect has been designed, fabricated and fully evaluated. The proposed amplifier IC can operate at a supply voltage from 0.5 V to 1.5 V. The amplifier IC exhibits a P1dB of 6...
This paper presents an ultra-wideband and ultra-low-voltage compact power detector IC for microwave and millimeter-wave applications. The power detector circuit includes an nMOSFET differential pair with resistive feedback and a pMOSFET buffer. The power detector IC was designed, fabricated and fully evaluated using Fujitsu 65-nm CMOS technology. The detector IC exhibits an operation frequency from...
This paper presents a low operation voltage ultrawideband power detector IC for microwave and millimeter-wave applications. The power detector circuit includes an nMOS transistor differential pair with a resistive feedback. The power detector IC was designed and fabricated using TSMC 130 nm CMOS technology. The detector IC exhibits an operation frequency from 100 MHz to 40 GHz at an operation voltage...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.