Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
High‐performance polymer semiconductors are highly desired in organic electronics. G. Yu, Y. Q. Liu, and co‐workers develop two highly π‐extended donor–acceptor copolymers based on diketopyrrolopyrrole and (E)‐2‐(2‐(thiophen‐2‐yl) vinyl)thiophene units for applications in solutionprocessed polymer field‐effect transistors. Stable high‐performance transistors are fabricated and show an excellent hole...
Two donor–acceptor (D−A) copolymer PDVTs based on diketopyrrolopyrole and (E)‐2‐(2‐(thiophen‐2‐yl)vinyl)thiophene (TVT) units are synthesized for solution‐processed field‐effect transistors (FETs). The highly π‐extended TVT units strengthen the coplanarity of the polymer backbone. FETs based on PDVTs show high mobilities above 2.0 cm2 V−1 s−1 with a current on/off ratio of 105−107, high shelf storage,...
High speed, low power and compatibility with standard technology Static random access memory (SRAM) is essential for system on chip (SoC) technology. In this paper, we first present a 6T-SRAM (1WR) and two types of 8T-SRAM cell(2WR 1W1R). After that how the (1W1R) cell work with external unit is explained, and we compare the SNM sensitivity and the write/read operations time of 1WR 1W1R cell.
This paper reports a novel 3D RRAM concept using stackable multi-layer 1TXR memory cell structure for future high density application. Using an 8-layer metal of stacked 1TXR (X = 64) as an example, the density is over 260% higher than that of the conventional single layer 1T1R structure. Corresponding operation algorithm is put forward for the first time, which can inhibit mis-write and mis-read caused...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.