Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Novel design concepts and cutting edge results are presented for high-power AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistor switches for power converters, control and radio-frequency applications. For power switching, the HFET design has to be different from that of power amplifiers in order to minimize the contact resistance and avoid current crowding in the metal electrodes of large-periphery...
This paper reports a novel approach in designing high frequency AlGaN/GaN HEMTs based on gate-drain field engineering utilizing a drain-connected field controlling electrode. The absence of frequency behavior degradation with drain bias as well as record high electron velocity values were obtained using gate-to-FCE separation of 0.5-0.7 mum. Thus, we demonstrated that the FCE is a powerful way to...
The oscillation phenomena of current-voltage curves of MSM device grown with AlGaN/GaN multi-quantum well (MQW) interlayer are observed and the pattern of oscillation is related to the sweep voltage. Oscillation phenomena is origin from polarization induced charge resonant tunneling through MQW
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.