Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
SiC is among the most promising materials for next generation power electronic devices due to its superior physical properties to Si and relative mature technology. SiC MOSFET is expected to offer performance improvement over Si counterpart. This paper presents the characterization of 1.2 kV SiC MOSFET, including its static and dynamic characteristics, and its high-frequency (1 MHz), high-power (1...
This paper presents a methodology for modeling the high-voltage silicon carbide (SiC) MOSFET/junction-barrier Schottky (JBS) diode power modules. The electrical model of an actual high-voltage SiC MOSFET/JBS module has been obtained using computer-aided electromagnetic analysis and verified through measurements. A circuit simulation model of a 2 kV, 5 A 4-H SiC MOSFET has also been built based on...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.