The Infona portal uses cookies, i.e. strings of text saved by a browser on the user's device. The portal can access those files and use them to remember the user's data, such as their chosen settings (screen view, interface language, etc.), or their login data. By using the Infona portal the user accepts automatic saving and using this information for portal operation purposes. More information on the subject can be found in the Privacy Policy and Terms of Service. By closing this window the user confirms that they have read the information on cookie usage, and they accept the privacy policy and the way cookies are used by the portal. You can change the cookie settings in your browser.
W pracy zaprezentowano autorski system pomiarowy do wyznaczania parametrów termicznych przyrządów półprzewodnikowych przy wykorzystaniu metod elektrycznych. Przedstawiono koncepcję działania proponowanego systemu oraz zaprezentowano przykładowe rozwiązanie konstrukcyjne do pomiaru parametrów termicznych diod oraz tranzystorów JFET. Poprawność działania opracowanego systemu pomiarowego zweryfikowano...
Porównano elektryczne i pirometryczne metody pomiaru parametrów termicznych elementów półprzewodnikowych o różnych wielkościach struktur półprzewodnikowych, przy różnych warunkach ich chłodzenia i zasilania. Pokazano, że usunięcie części obudowy elementu oraz poczernienie jego struktury, wymagane przy stosowaniu metod pirometrycznych, w istotny sposób zmieniają wartości parametrów termicznych. Dla...
Opracowanie dotyczy wpływu wybranych czynników na rezystancję i przejściową impedancję termiczną przyrządów półprzewodnikowych. Przedstawiono przykładowe wyniki pomiarów i omówiono wpływ na parametry termiczne przyrządów półprzewodnikowych, takich czynników jak: punkt pracy badanego przyrządu, długość jego wyprowadzeń, wielkość pola lutowniczego i radiatora, temperatura otoczenia, zastosowane warstwy...
Praca dotyczy pomiarów parametrów termicznych - rezystancji termicznej i przejściowej impedancji termicznej bipolarnego tranzystora małej mocy BC109. Pomiary wykonano przy wykorzystaniu metod pirometrycznych oraz metod elektrycznych dla różnych punktów pracy badanego tranzystora oraz dla różnych warunków jego chłodzenia. Wyznaczono także rozkłady temperatury wewnątrz badanego elementu.
Set the date range to filter the displayed results. You can set a starting date, ending date or both. You can enter the dates manually or choose them from the calendar.