Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
This paper presents a capacitor discharge sintering process with a homemade silver-nickel paste for thermoelectric element interconnections. The paste is a 75 nm silver/nickel composite mixture. Without using any specific atmosphere control, the capacitor discharge is capable of nanoparticle sintering with time-efficient process at room temperature. A 0.01 F capacitor is serially connected to the...
Repetitive pulsed power generation by compact sources is being studied for industrial applications. The research efforts include pulse-compression concept exploration, electrical circuit design and optimization, switching device development and evaluation, and application demonstrations. The basic strategy is to take advantage of solid-state switching devices to achieve compactness, reliability, and...
In this paper, wafer level and product level reliability characteristics of embedded DRAM technology with high-K dielectric Ta 2O5 MIM capacitors have been analyzed. It is found although hot carrier injection can induce more apparent gate-induced-drain-leakage (GIDL) current than off-state bias temperature (BT) stress docs, BT stress still dominate the failure bit count increase in real circuit operation...
In this paper, a new phenomenon regarding to failure bit count (FBC) distribution and data retention time of embedded DRAM with high-K dielectric Ta2O5 MIM capacitors has been observed and explored. Different from conventional knowledge with FBC increase or retention time reduction of DRAM after burn-in, it is found FBC decreased and retention time increased in the sub-0.1mum embedded DRAM technology...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.