Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The performance and reliability of ZrO2/In0.53Ga0.47As MOSFETs are shown to be improved by simultaneous reduction of dielectric and interface charges. An amorphous (La)AlOx interlayer at the ZrO2/In0.53Ga0.47As interface is a key to reduce border traps, interface traps and move ZrO2 fixed charge away from the In0.53Ga0.47As. Border traps are reduced ~3x, effective fixed charges are reduced ~3x and...
Charge trapping and wearout characteristics of self-aligned enhancement-mode GaAs nMOSFETs with silicon interface passivation layer and HfO2 gate oxide are systematically investigated at various time scales (from micro-seconds to seconds). Unlike high-kappa on silicon devices, both bulk trapping and interface trapping affect the PBTI (positive bias temperature instability) characteristics of nMOSFETs...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.