The Infona portal uses cookies, i.e. strings of text saved by a browser on the user's device. The portal can access those files and use them to remember the user's data, such as their chosen settings (screen view, interface language, etc.), or their login data. By using the Infona portal the user accepts automatic saving and using this information for portal operation purposes. More information on the subject can be found in the Privacy Policy and Terms of Service. By closing this window the user confirms that they have read the information on cookie usage, and they accept the privacy policy and the way cookies are used by the portal. You can change the cookie settings in your browser.
In the present paper, the current status of work on the transfer of a fully-depleted silicon-on-insulator (FD SOI) CMOS technology from Université catholique de Louvain (UCL) to Instytut Technologii Elektronowej (ITE) is described. This task is carried out within the TRIADE' FP7 project oriented towards development of analog and digital blocks coupled with sensors for low-volume high-performance applicalions...
Artykuł przedstawia zakończony w ubiegłym roku w Instytucie Technologii Elektronowej proces uruchamiania usługi MPW (Multi Project Wafer). Jego celem było umożliwienie studentom polskich i zagranicznych uczelni technicznych taniego wykonania prototypowego układu scalonego ASIC opracowanego w ramach zajęć lub pracy dyplomowej. Usługa MPW oparta jest na własnym procesie technologicznym ITE (3 µm bulkCMOS),...
Przedstawiono nowy model prądu drenu i pojemności w symetrycznym, niedomieszkowanym, dwubramkowym tranzystorze MOS. Model obejmuje wybrane efekty krótkiego kanału (zależność napięcia progowego od długości kanału, nasycenie prędkości nośników, modulacja efektywnej długości kanału i napięcia dren-żródło, wzrost gęstości ładunku w kanale indukowany napięciem drenu, obniżenie wysokości bariery indukowane...
W pracy przedstawiono wyniki eksperymentów związanych z opracowaniem zunifikowanego systemu obudów fluidycznych i czujników stężenia jonów, pH oraz temperatury w badanych roztworach. Struktury czujników wykonane były na płytkach krzemowych, a następnie zmontowane w wymiennych obudowach. Po zmontowaniu poddane zostały różnorodnym testom odpowiadającym zastosowaniom czujników. Potwierdzono możliwość...
W artykule opisano metodę ekstrakcji parametrów elektrofizycznych tranzystorów MOS. Do tego celu wykorzystany jest model EKV, należący do klasy kompaktowych modeli przyrządów półprzewodnikowych. Został on skonstruowany przede wszystkim dla potrzeb projektowania analogowych układów scalonych MOS, działających w dowolnych warunkach polaryzacji ze szczególnym uwzględnieniem zakresów słabej i umiarkowanej...
A test 3-Gate FinFET-type p-MOS transistor was manufactured using a 3um CMOS layout and a technique dedicated for preparation of 270nm narrow silicon paths, controlled by means of a lateral definition process (PADEOX). SEM and optical views of the device were presented. I D (V DS) and I D (V GS) characteristics were measured and displayed together with typical p-MOS curves. A simple model of I-V characteristics...
W pracy przeanalizowano wpływ grubości warstwy aktywnej oraz tlenku bramkowego na prąd pompowania ładunku w dwubramkowych strukturach MOS z bardzo cienką warstwą aktywną. Sprawdzono także, czy istnieje możliwość oddzielnego badania każdej powierzchni granicznej za pomocą metody pompowania ładunku.
W pracy przedstawiono opracowania dwóch konstrukcji czujników typu jonoczuły tranzystor polowy, ISFET. W pierwszej konstrukcji, zwanej Front Side Contact ISFET (FSC ISFET), elektrody źródła (S) i drenu (D) oraz bramkę tranzystora umieszczono na przedniej stronie struktury. W drugiej konstrukcji - Back Side Contact ISFET (BSC ISFET), elektrody S i D zostały umieszczone na tylnej stronie struktury,...
Praca przedstawia nowe rozwiązanie mozaikowego detektora krzemowego z aktywnymi komórkami, wykonanego na płytkach podłożowych SOI (Silicon On Insulator) [1], wytworzonych metodą wafer-bonding. Prezentowana praca jest częścią projektu SUCIMA (Silicon Ultra Fast Camera for Gamma and Beta Sources in Medical Applications), realizawanego w ramach 5. Programu Ramowego Komisji Europejskiej.
Set the date range to filter the displayed results. You can set a starting date, ending date or both. You can enter the dates manually or choose them from the calendar.