Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
This letter demonstrates a high-voltage, high-current, and low-leakage-current GaN/AlGaN power HEMT with HfO2 as the gate dielectric and passivation layer. The device is measured up to 600 V, and the maximum on-state drain current is higher than 5.5 A. Performance of small devices with HfO2 and Si3N4 dielectrics is compared. The electric strength of gate dielectrics is measured for both HfO2 and Si...
GaN Schottky diodes offer the same performance benefits as SiC-based devices at a significantly lower cost. A 600 V GaN-based Schottky diode was substituted in a power conversion circuit to reduce its size and complexity. The resulting circuit had a higher efficiency and lower operating temperature than a Si-based configuration
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.