Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We have experimentally studied the passive Q-switching performance of a Nd:YAG ceramic laser with GaAs saturable absorber. Depending on the laser intensity in the GaAs wafer, the Q-switched laser showed much different performance. The shortest pulse obtained has 4.7 ns pulse width, 6.25 muJ pulse energy and 1.33 kW peak power.
By using GaAs as an output coupler as well as a saturable absorber, we demonstrated a diode-pumped passively Q-switched Yb:YAG laser at room temperature. At an incident pump power of 12.2 W, stable laser pulses of duration of 15.5 ns and energy of 75.6 μJ were generated at a repetition rate of 7.3 kHz. Effects of output coupling on the laser performance were investigated with a GaAs wafer that was...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.