Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Alloying in monolayers enables bandgap tuning in twodimensions. On page 2648, L. Xie, J. Zhang, and co‐workers demonstrate that by direct evaporation of two end materials (MoS2 and MoSe2) and deposition at low temperatures, large‐area 2D MoS2(1−x)Se2x monolayers are obtained. By changing the S/Se composition, the bandgap of MoS2(1−x)Se2x monolayers can be continuously tuned.
Semiconducting MoS2(1‐x)Se2x monolayers where x = 0–0.40 are successfully grown over large areas. A random arrangement of the S and Se atoms and a tunable bandgap photoluminescence are observed. Atomically thin, 2D semiconductor alloys with tunable bandgaps have potential applications in nano‐ and opto‐electronics. Field‐effect transistors fabricated with the monolayers exhibit high on/off ratios...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.