Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We will present recent development of graphene FET technology on a wafer scale, including epitaxial graphene growth, device fabrication and characterization. The epitaxial growth of graphene on 2-inch wafers were fabricated via graphitization of Si-face SiC(0001) substrates. The sheet electron carrier density of these layers were typically 10-13 /cm2 at room temperature and had mobility of ~ 1500...
We report dc and the first-ever measured small-signal radio-frequency (RF) performance of epitaxial-graphene RF field-effect transistors (FETs), where the epitaxial-graphene layer is formed by graphitization of 2-in-diameter Si-face semi-insulating 6H-SiC (0001) substrates. The gate is processed with a metal gate on top of a high-k Al2 O3 gate dielectric deposited via an atomic-layer-deposition method...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.