Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Avalanche breakdown characteristics are essential for designing avalanche photodiodes. In this letter, we investigated the effects of adding Ga to Al1–xGaxAs0.56Sb0.44 quaternary alloys. Using p-i-n diodes with a 100-nm i—region and alloy composition ranging from $x=0$ to 0.15, we found that the bandgap energy of Al1–xGaxAs0.56Sb0.44 reduces from 1.64 to 1.56 eV. The corresponding avalanche breakdown...
We demonstrate the InGaAsN PIN structures grown by MBE with photoresponse of approximately 1.3 μm and optimized by post growth annealing. The assessment of the annealing study was carried out by comparing the dark current density and photocurrent spectra of the as-grown and annealed samples. The dark current for an optimally annealed InGaAsN PIN is approximately 2 μAcm-2 at an electric field of 100...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.