Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In this paper, we will present our results on different high-power GaSb-based optically pumped semiconductor disk lasers (OPSDLs) emitting in the 1.9-2.8 mum wavelength range, with the emphasis on the power scaling capability of these long-wavelength laser by using the following different concepts: increasing the pumped area, using multiple gain chips and using in-well pumped structures.
We report high-performance single-frequency operation of a directly diode pumped GaSb vertical-external-cavity surface-emitting laser (VECSEL) at 2.3 mum. Tunability of >25 nm with a maximum single frequency output of 0.68 W is demonstrated.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.