Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Staggered tunnel junction (GaAs0.35Sb0.65/In0.7Ga0.3As) is used to demonstrate heterojunction tunnel FET (TFET) with the highest drive current, Ion, of 135µA/µm and highest Ion/Ioff ratio of 2.7×104 (Vds=0.5V, Von−Voff=1.5V). Effective oxide thickness (EOT) scaling (using Al2O3/HfO2 bilayer gate stack) coupled with pulsed I–V measurements (suppressing Dit response) enable demonstration of steeper...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.