Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Development and optimization of electronic devices in industrial and academic environments would hardly be conceivable without the numerical simulation of their processing and electronic behavior. In the past, model development efforts aimed especially at predicting junction depths. With the paradigm shift towards ultra-thin body silicon-on-insulator devices and FinFET architectures, the main emphasis...
A method for decreasing the parasitic source and drain contact resistances in decanano-scaled CMOS devices is presented in this work. The improvement of the electrical performance of the CMOS devices has been achieved by increasing the active contact area, without increasing the complete layout area consumption of the device, for lowering the parasitic source/drain contact resistances. Numerical simulations...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.