Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
As device dimensions shrunk to the 14 nm node and beyond, damascene Cu/low-k high aspect ratio of interconnect schemes face extreme difficulties in achieving defect-free Cu gap-fill. The CVD Co was implemented to improve Copper interconnect performance which was deposited between the PVD Ta(N) liner barrier and the Cu seed layer to improve copper to barrier adhesion and copper gap fill. Therefore,...
Formulations for the weakly relativistic two-dimensional electrostatic space charged limiting current density in drift space have been derived by considering the uniform injection of electrons over a finite strip of width W in a planar drift space of gap separation D. The two-dimensional limiting current density in units of the one-dimensional current density was found to monotonically increase with...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.