Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Acceptor defects and impurities play a critical role in the performance of GaN‐based devices. Mg is the only acceptor impurity that gives rise to p‐type conductivity, while other acceptors (such as C impurities and defects) act as sources of compensation and trapping. From the point of view of theory, understanding the physics of acceptor species in GaN has long been a challenge. In the past,...
We perform first‐principles calculations to investigate the electronic structure of native defects in various oxide dielectrics to address the impact of defects on GaN/oxide metal–oxide–semiconductor (MOS) devices. We calculate defect formation energies in Al2O3, HfO2, and LaAlO3, as a function of the chemical potentials and of the Fermi‐level position in the band gap. By aligning the conduction‐band...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.