Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Power management and sensor driver integrated circuits need technologies with high breakdown voltage (BVdss), low on-resistance (Rsp) and preferably low process complexity and improved integration. A new 180nm High Voltage CMOS (HVCMOS) technology is described which includes LDMOS devices with 160V BVdss and an N-LDMOS device with minimum Rsp of 14.4mOhm·mm2 for 34V BVdss as part of a suite of LDMOS...
The hot carrier stress induced device degradation of a p-type LDMOS high voltage transistor is investigated at different stress conditions. The influence of shallow trench corner rounding and carbon ion implantation into the shallow trench region is discussed. Numerical device simulations, charge pumping measurements and electrical characterisations are used for these investigations.
This paper describes a 180 nm CMOS thin film SOI technology developed for RF switch applications. For the first time we show that the well-known harmonic generation issue in HRES SOI technologies can be suppressed with one additional mask. Power handling, linearity, and Ron*Coff product are competitive with GaAs pHEMT and silicon-on-sapphire technologies.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.