Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Low-temperature reflow anneals of physical-vapor-deposited (PVD) Cu on Ru are achieved at a Cu/low-k integration-compatible low temperature of 250°C by surface diffusion. Feature-fill capability is also demonstrated in patterned features along with reasonable electrical measurements. As compared to typical impurity levels in the conventional electroplated Cu, the reflowed PVD Cu had higher purity,...
Selective CVD Ru cap deposition process has been developed for BEOL Cu/low-k integration. Selectivity of CVD Ru deposition between Cu and dielectrics is investigated. Electrical performance, electromigration (EM) lifetime, voltage ramp (I-V), and time-dependent-dielectric-breakdown (TDDB) are also characterized for Cu interconnects capped with CVD Ru. This selective CVD Ru cap process is a good candidate...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.