Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Spin Transfer Torque Magnetic Random Access Memory (STT-MRAM) is a leading candidate for embedded memory applications, with promises of low power, high performance, and non-volatility.
Spin Transfer Torque Magnetic Random Access Memories (STT-MRAM) are based on Magnetic Tunnel Junctions (MTJs) made out of two ferromagnetic electrodes separated by a MgO tunnel barrier.
A highly efficient spin-polarized electron source is a key element for spintronic devices. One Co-based Heusler alloy in particular, Co2MnSi (CMS), has attracted much interest [1-5] because of its theoretically predicted half-metallic nature and high Curie temperature of 985 K. To fully exploit the half-metallic character of CMS, the effect of defects associated with off-stoichiometry on its half-metallicity...
A Heusler alloy Co2MnSi (CMS) has been extensively studied as a promising spin source material [1,2] because of its theoretically predicted half-metallicity and high Currie temperature of 985 K. We recently demonstrated that the suppression of Co antisites at nominal Mn/Fe sites is critical to obtaining half-metallic quaternary Co2(Mn, Fe)Si (CMFS) [3] in a similar way as in ternary alloy CMS [1,4,5]...
The recent rise of mobile applications such as Internet of Things (IoT), wearable electronics, and context aware computing has renewed the search for a universal embedded memory technology [1]. Such a technology should combine fast read/write, low voltage operation, low power consumption, non-volatility, infinite endurance, with CMOS process compatibility. Magnetic Random Access Memory based on Spin...
Spin torque random access memory (ST-MRAM) design spaces down to CMOS 22 nm technology node are explored using a dynamic magnetic tunneling junction (MTJ)-CMOS model. The coupled dynamics of MTJ and CMOS is modeled by a combination of MTJ micromagnetic simulation and CMOS SPICE circuit simulation. The paper analyzes trade-offs between MTJ current threshold, MTJ thermal stability and CMOS driving strength...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.