Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
High-performance self-aligned inversion-channel In0.75Ga0.25As n-MOSFETs using in-situ ultra-high-vacuum (UHV) deposited Al2O3/Ga2O3(Gd2O3) and ex-situ atomic-layer-deposited (ALD) Al2O3 as gate dielectrics have been fabricated. Both devices exhibit excellent DC characteristics, including high drain currents and transconductances. A 1.2 mum-gate-length In0.75Ga0.25As MOSFET using Al2O3(2 nm-thick)/GGO(13...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.