Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Due to the limited control of the short channel effects, the high junction leakage caused by band-to-band tunneling and the dramatically increased V T statistical fluctuations, the scaling of planar bulk MOSFETs becomes more and more problematic with every technology node. The ITRS roadmap predicts that from the 32nm technology node on, planar bulk devices will not be able to meet the stringent...
This article discusses an analytical velocity-overshoot capacitance model for a 0.1 μm MOS transistor. As verified by 2D simulation results, compared to the conventional model the analytical capacitance model considering velocity overshoot shows a smaller C SG and C DG value, because in velocity overshoot a smaller amount of electrons exist in the channel region. Compared...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.