Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
P-emitter and n-buffer layers have been optimized for 1700V planar gate DMOS IGBTs by applying laser annealing technique which can overcome the challenge of thin wafer processes to activate dopants implanted from the backside after wafer backside ground. The modules assembled using new chips combining optimized p-emitter/n-buffer design and backside laser annealing process showed attractive on-state...
We have presented the work done on optimization of the 6.5kV IGBT device for increasing the safe operating area both for RBSOA and SCSOA. The optimization of the bipolar gain of the IGBT has been studied. We have shown that reducing gate capacitance by 50% combined with increased bipolar gain improves the short circuit robustness. The short circuit current capability of the 6.5 kV IGBT chip is significantly...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.