Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
A buried hexagonal YSi 1.7 layer is formed by channelled implantation of Y ions into (1 1 1) oriented silicon wafers. The orientation relationship between the epitaxial YSi 1.7 and the silicon is (0 0 0 1) YSi1.7 (1 1 1) Si with <1 1 2 0> YSi1.7 <1 1 0> Si . Annealing...
A metal vapour vacuum arc (MEVVA) ion source is used for the fabrication of a γ-Fe 1−x Ni x Si 2 (x ≈ 0.4) layer via the sequential implantation of Ni and Fe into (100) oriented silicon (Si) substrate. After annealing at 500°C for 30 min, a “Fe 0.6 Ni 0.4 Si 2 /Fe 0.4 Ni 0.6 Si 2 /Si” structure appears. The Fe-rich Fe 0.6...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.