Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We present a high-performance InGaN/GaN heterojunction phototransistor with the responsivity (Rλ)> 8 (A/W) low norse-equrvalent-power (NEP) < 1.1×10−17 (W-Hz−0.5) and high detectivity(D∗)> 1.2×1014 (cm-Hz0.5-W−1).
640 Gbit/s N-OTDM DPSK wavelength conversion is demonstrated in a Si-nanowire. All 64 tributaries are converted within an average power penalty of 1 dB at the FEC BER-limit 3E-3. Only 22-fJ/bit switching energy is required.
We present WDM multicasting based on non-degenerate four-wave mixing in a silicon nanowire. A one-to-six phase-preserving wavelength multicasting of 10 Gb/s differential phase-shift-keying data is experimentally demonstrated with bit-error rate measurements.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.