Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The Vertically Integrated Gain (VIG) cell is a new DRAM structure for 64/256 Mbit ORAMs. By using a trench structure and 0.25 μm design rules a cell size of 0.55μm2 is attainable. The cell function bases on merging 2 bipolar junction transistors (BJT), 1 junction field effect transistor (JFET) and 2 capacitors. 20 transient device simulation is used to investigate the electrical behaviour of the VIG...
The BiCMOSG3 cell, a novel high density memory cell using BiCMOS technology is described. The cell is based on merging four transistors and occupies approximately the area of a single MOS transistor. The implementation of three gain mechanisms and a bipolar output driver transistor into the cell ensures both a very high operation speed and a bit line read out signal of about 1 volt using only operation...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.