Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
High-performance inversion-type enhancement-mode n-channel MOSFETs on In-rich In0.75Ga0.25As using ALD Al2O3 as high-k gate dielectrics are demonstrated. The maximum drain current, peak transconductance, and the effective electron velocity of 1.0 A/mm, 0.43 S/mm and 1.0times107 cm/s at drain voltage of 2.0 V are achieved at 0.75-mum gate length devices. The device performance of In-rich InGaAs NMOSFETs...
High-performance inversion-type enhancement-mode n-channel In0.53Ga0.47As MOSFETs with atomic layer deposited (ALD) Al2O3, HfO2, and HfAlO as gate dielectrics are demonstrated. The ALD process on III-V compound semiconductors enables the formation of high-quality gate oxides and unpinning of Fermi level on III-V in general. A 0.5-mum gate-length MOSFET with an Al2O3 gate oxide thickness of 8 nm shows...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.