Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
A new low temperature atomic layer deposition (LT‐ALD) Al2O3 process using trimethylaluminum (TMA) and acetic acid (CH3COOH) is studied both theoretically and experimentally. The atomistic mechanisms of the two deposition half‐cycles on Al‐CH3*, Al‐OH*, and Al(η2‐O2CCH3)* are investigated using density functional theory (DFT). The experimental demonstrations are performed on Si substrates over the...
The different charge trapping materials HfO 2 , HfAlO and Al 2 O 3 have been compared electrically in metal-oxide-semiconductor capacitors with fixed Al 2 O 3 tunneling and blocking layers and Pd-electrode. The capacitance–voltage hysteresis window, memory window, and stress-time dependent flat-band voltage shift increase with increasing the relative content...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.