Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The oxygen to silicon ratio of several SiO x H y thin films deposited by the electron cyclotron resonance plasma method was studied by several methods (heavy ion elastic recoil detection analysis, energy dispersive X-ray spectroscopy, Auger spectroscopy and infrared spectroscopy). Among these methods, other groups found that x scales linearly with the wavenumber of the Si–O–Si stretching...
Silicon oxynitride films were deposited at room temperature using the ECR-PECVD technique. Precursor gases were O 2 , N 2 and SiH 4 . The composition of the films can be controlled by regulating the gases flow ratio. R = (O 2 + N 2 )/SiH 4 and R′ = O 2 /SiH 4 have proved to be the key deposition parameters. FTIR spectroscopy, AES and...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.