Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In this work, we propose Residual Attention Network, a convolutional neural network using attention mechanism which can incorporate with state-of-art feed forward network architecture in an end-to-end training fashion. Our Residual Attention Network is built by stacking Attention Modules which generate attention-aware features. The attention-aware features from different modules change adaptively...
On-chip electrostatic discharge (ESD) protection are required for all ICs. Unfortunately, ESD-induced parasitic capacitance (CESD) will seriously affect performance of high-speed and RF ICs. Careful design balance of ESD protection level and minimizing ESD-induced circuit performance degradation has become a major design challenge for high-speed and RF ICs. This paper presents a comprehensive study...
Dynamically tunable characteristics of a heterojunction between two semiconducting materials offers the potential for building reconfigurable devices that can enable novel functionalities in electronic systems [1-3]. In this work, we study a novel junction between black phosphorus (BP) and tin selenide (SnSe), both with puckered orthorhombic crystal lattices. Due to the narrow bandgap of BP ∼0.3 eV...
In this work, we study the effects of rapid thermal annealing (RTA) on HfO2 and HfSiOx gate dielectrics. The film electrical characteristics, TDDB reliability, breakdown characteristics and mechanism, and the optimum temperature of N2 RTA treatment were investigated. We also propose a model to explain breakdown mechanism and the difference between HfO2 and HfSiOx dielectrics. For lifetime projection...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.