Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The work thus presents GEWE-RC MOSFET as a potential candidate for high performance RF applications and achieves fi of 48.6 GHz which is a 31.7 % and 48.5 % improvement as compared to the RC and bulk respectively, at Vgs = 1.0 V, for same set of design parameters, owing to the improved gate controllability and reduced parasitic capacitances. Moreover,intrinsic delay and high gains pertained by GEWE-RC...
In this paper, the impact of gate stack configuration onto the RF/analog and large signal linearity characteristics of insulated shallow extension (ISE) MOSFET is explored. The key factors affecting the device performance and the physics behind it are also scrutinized. The analog performance metrics- gm/ids, rout, vea (early voltage) & gm/gd gain and device linearity metrics-vip2 & vip3 and...
In this paper, the linearity performance of Gate Electrode Workfunction Engineered Recessed Channel (GEWE-RC) MOSFET is investigated using ATLAS device simulator, based on the concept of intercept point. Further, the impact of various technological parameter variations, such as gate length (LG), negative junction depth (NJD), screening metal gate workfunction (PhiM2) and substrate doping (NA) on the...
RF circuit application requires transistors with low intermodulation distortion and thus, linearity analysis is desired to optimize device structure and circuit design. In this work, RF linearity of Dual Material Gate Insulated Shallow Extension Gate Stack (DMG ISEGaS) is investigated using ATLAS-2D: device simulation software and is compared with its Single Material Gate (SMG) counterpart. The work...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.