Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
A simple approach of sensorless junction temperature estimation is proposed for SiC power MOSFET devices. The junction temperature is derived in real-time by finding the instantaneous on-state resistance which is temperature sensitive and can be used as an indicator for device thermal estimation. Based on the scheme, a high-speed circuit is designed to quickly detect the on-state resistance and estimate...
A scheme of thermal estimation is proposed for SiC power MOSFET devices and applied in overcurrent fault protection. Initial junction temperature before fault occurrence is estimated by finding the instantaneous on-state resistance which is temperature sensitive and can be used as an indicator for device junction temperature estimation. Based on the scheme, a circuit is designed to detect the on-state...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.