Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The electrical and physical properties of PrxAl2−xO3 on metal-oxide-semiconductor gate dielectric were investigated. Amorphous PrxAl2−xO3 films with the thickness of 15 nm were deposited by electron-beam evaporation under a typical dielectric constant and equivalent oxide thickness of 18 and 3.3 nm, respectively. Leakage current decreased from 48mA/cm2 to 3.4mA/cm2 at a gate voltage of 1V after 500...
The electrical and physical properties of PrxAl2−xO3 on metal-oxide-semiconductor gate dielectric were investigated. Amorphous PrxAl2−xO3 films with the thickness of 15 nm were deposited by electron-beam evaporation under a typical dielectric constant and equivalent oxide thickness of 18 and 3.3 nm, respectively. Leakage current decreased from 48mA/cm2 to 3.4mA/cm2 at a gate voltage of 1V after 500...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.