Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
High on-currents (Ion) and low off-currents (Ioff) under low supply voltage are important for logic applications. A heavily doped InP source was introduced to demonstrate the existence of high Ion in InGaAs MOSFETs, and ID = 2.4 mA/μm at VD = 0.5 V was observed. GaAsSb source was introduced in InGaAs tunnel FET to realize low Ioff. Narrow channel body was found to be essential for steep sub-threshold...
We demonstrated a sub-50-nm InGaAs 5-nm/InP 5-nm MOSFET with an n-InP source on a Si substrate using a 5-nm Al2O3 dielectric. In the measurement of the fabricated device, the maximum drain current and the peak transconductance at VD = 0.5 V were 0.9 mA/µm and 0.8 mS/m, respectively. The threshold voltage was 0.09 V, and the drain-induced barrier lowering was 378 mV/V. From the channel length dependence,...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.